Returning Customer
I am a returning customer
Register Account
If you already have an account with us, please login at the login form.
Ваша учетная запись создана!
Поздравляем! Ваш Личный Кабинет был успешно создан.
Теперь Вы можете воспользоваться дополнительными возможностями: просмотр истории заказов, печать счета, изменение своей контактной информации и адресов доставки и многое другое.
Если у Вас есть какие-либо вопросы, напишите нам.
Выход
Вы вышли из Личного Кабинета.
Ваша корзина покупок была сохранена. Она будет восстановлена при следующем входе в Ваш Личный Кабинет.
TOF SIMS-5 предоставляет детальную информацию об элементном и молекулярном составе поверхности и приповерхностных слоях образца.
Время-пролетная вторичная ионная масс-спектрометрия представляет собой методику исследования поверхностей с чрезвычайно высокой точностью и чувствительностью. Использование данной методики позволяет получать детальную информацию об элементном и молекулярном строении поверхностей, приповерхностных тонких слоях, контактах материалов различных типов, осуществлять комплексный трехмерный анализ образцов. Данная технология широко применяется при производстве полупроводниковых приборов, полимеров, лакокрасочных изделий, покрытий, стекла, бумаги, металлов, керамики, биоматериалов и фармацевтических изделий
Система TOF.SIM 5 обладает уникальными характеристиками:
- Практически неограниченный диапазон массовых значений от 1 до 10000 а.е.м.
- Высокое массовое разрешение 16 000 (m/dM)
- Высокое разрешение по глубине 1-2нм
- Высокое поверхностное разрешение <80 нм
- Сверхвысокая чувствительность системы в диапазоне ppm/ppb
- Идеально подходит для изучения полимерных и полупроводниковых материалов
- Модульная конструкция, обеспечивающая гибкость конфигурирования и модернизации системы
Спектроскопия поверхностей
Следовые количества металлов
Обнаружение и количественное определение следов металлов представляет собой важную аналитическую задачу полупроводниковой промышленности. Вследствие высокого массового разрешения и чрезвычайно низкого уровня шумов, обеспечиваются превосходные уровни обнаружения.
Органические материалы
Во многих технологических сферах необходимостью является распознавание молекулярных структур поверхностей и обработка данных о таких структурах. Статическая система TOF.SIMS 5 предоставляет идеальную аналитическую методику, поскольку позволяет благодаря своей превосходной чувствительности обнаруживать как крупные, комплексные молекулярные ионы, так и фрагментарные ионы.
Картирование поверхности
Для получения карт латерального распределения химического состояния элементов по поверхности образца развертывают сфокусированный ионный пучок. В результате получают изображения распределения вторичных ионов высокого массового разрешения.
Химическое картирование элементов и молекул является одной из важнейших составляющих многих современных исследований. Система TOF.SIMS 5 способна решать весь круг возможных проблем визуализации по методике ВИМС, в том числе: формирование изображений элементов, органических веществ, а так же картирование больших площадей с помощью передвижения предметного столика. Горизонтальное ориентирование образцов, моторизированный 5-осевой предметный столик большого размера и наличие функции компенсации заряда идеальным способом обеспечивают исследование всех видов образцов материалов. Отсутствуют любые ограничения по форме, топографии или электропроводности исследуемых образцов.
Профилирование по глубине
Для осуществления профилирования по глубине используются два ионных пучка в двулучевом режиме. В то время как первый пучок вытравливает кратер,второй пучок последовательно анализирует дно кратера.
Главным достоинством профилирования по глубине в двулучевом режиме является возможность раздельной, независимой настройки каждого из пучков.
Трехмерный анализ
Трехмерная визуализация образцов может быть реализована при комбинированном использовании спектральных, визуальных данных данных профилирования по глубине.
Трехмерный анализ идеален при исследовании комплексных и неизвестных структур или при определении дефектов. При его использовании возможна визуализация состава, формы и положения элементов структур, а также дефектов, в таких областях как готовые изделия (тонкопленочные дисплеи), анализ дефектов (скрытые частицы), материаловедение (границы блоков, диффузия).
Спецификация
Компания ION-TOF традиционно поддерживает тесное сотрудничество с заказчиками, предлагая новые решения по улучшению аппаратного и программного обеспечения систем для наиболее полного решения возникающих задач исследователей.
TOF.SIMS 5 поставляется в трех стандартных версиях:
- TOF-SIMS 5-100 для образцов размером до 100 мм в диаметре
- TOF-SIMS 5-200 для образцов размером до 200 мм в диаметре
- TOF-SIMS 5-300 для образцов размером до 300 мм в диаметре
В базовой комплектации система содержит в своем составе времяпролетный анализатор с высокой степенью захвата вторичных ионов и высоким разрешением по массе, камеру образца с 5-осевым манипулятором (x, y, z, поворот и наклон), входной шлюз быстрой загрузки, компенсатор заряда для анализа изолирующих материалов, детектор вторичных электронов для получения СЭМ-изображений образца, вакуумную систему высокого класса и внешний компьютер для автоматизации измерений и накопления данных.
Доступен широкий спектр дополнений системы, таких как нагрев и охлаждение образца для анализа легколетучих соединений, лазерная пост-ионизация нейтральных молекул и т.д. Система может быть дополнена встроенными камерами подготовки образца и системой транспортировки образца. Существует возможность объединить несколько методов исследования образца, требующих сверхвысокого вакуума, такие как рентгеновская спектроскопия, ожэ-спектроскопия и прочие методы. Подобное комбинация методов в одной вакуумной системе позволяет проводить разносторонний анализ без извлечения образца на открытый воздух.
Препарационные камеры
Обычно камеры для подготовки образцов специально проектируются под нужды пользователей. Такой подход особенно важен для лабораторий, которые хотят анализировать много различных вдиов образцов. Соответствующие вакуумные компоненты со встроенными блокировками, полностью интегрированы в программное обеспечение, с тем, чтобы любые пользовательские операции были безопасны и воспроизодимы. Препарационная камера может находиться в двух различных опзициях.
Позиция 1: Это наиболее популярный дизайн. Загрузочная камера остается на своем привычном месте и препарационная камера крепится горизонтально сбоку от главной камеры. Препарационная камера на равне с загрузочной камерой оснащена собственной системой транспортировки держателя образцов, при этом держатель образцов должен быть развернут в главной камере, чтобы переключиться с одной системы на другую. В данной конфигурации образец загружается через загрузочную камеру.
Позиция 2: В этой конфигурации препарационная камера присоединенна к загрузочной камере напрямую. Если процесс приготовлнеия образца связан с риском значительного загрязнения камеры, образец может быть извлечен наружу не попадая (и не загрязняя) в рабочую камеру. Тем не менее образец должен пройти через загрузочную камеру, чтобы попасть в главную камеру, при этом вакуум в загрузочной камере не такой высокий, как в двух других камерах.
Сдваивание инструментов
В лабораториях, в которых присутствуют другие аналитические методики исследования поверхности, может оказаться полезным исследовать один и тот же образец на более чем одном инструменте без извлечения самого образца на воздух. Либо использовать одну и ту же камеру для подготовки образцов с несколькими разными установками.
Благодаря горизонтальному расположению образцов TOF.SIMS 5 может легко быть подключен к различным препарационным камерам или приборам. реализующим другие аналитические методы, особенно XPS.
Работа в чистой комнате
Площадь внутри чистой комнаты весьма дорога, а условия внутри чистой комнаты ограничивают возможности проведения ежедневных процедур обслуживания прибора. Для использования чистотой внутри чистой комнаты без ограничений можно встроить TOF.SIMS 5 непосредственно внутрь чистой комнаты. Образцы при этом загружаются через загрузочную камеру непосредственно из чистой комнаты в то время как вся работа за инструментом может производиться извне чистой комнаты.
Аксессуары
Благодаря модульной конструкции, системы также могут быть оснащены различными специальными принадлежностями для решения даже самых сложных аналитических задач.
- Широкий диапазон ионных источников: Ga, In, (Bi)n, O2, Cs, Ar, Xe, SF5, C60
- Контролируемый нагрев и охлаждение
- Перенос образца из азота
- Место для хранения держателя образцов внутри загрузочной камеры
- Совместное распыление Cs-Xe
- Лазерная постионизация
- 20 kV пост ускорение
- Внутренняя процедура очистки вакуума
Технические характеристики
- Массовое разрешение 18.000 (m/dM)
- Массовый диапазон 1-10000 а.е.м.
- Высокое пространственное разрешение (<60 нм)
- Быстрая съемка изображения (частота до 50 кГц)
- Поле измерений от мкм2 до см2
- Глубинное разрешение менее 1 нм
- Высокое массовое разрешение
- Скорость травления до 10 мкм/ч
- Идеально подходит для изучения полимерных и полупроводниковых материалов