Фокусированный ионный пучок с источником на основе зарядово-связанной палзмы Xe(+). Удаление материала до 20 раз быстрее по сравнению с традиционным Ga FIB.
FEI Vion™ Plasma Focused Ion Beam System (PFIB) - фокусированный ионный пучок с источником на основе зарядовосвязанной плазмы Xe(+), обеспечивающей быстродействие при удалении материала, более чем в 20 раз превышающее традиционный Ga фокусированный ионный пучок. Этот производительный инструмент способен создавать прецизионные поперечные срезы в точно выбранном месте на поверхности образца, выполнять пробоподготовку образцов для TEM и SEM. Используя низкий ток ионного пучка Vion позволяет получать изображения поверхности образца с высоким разрешением и с высоким контрастом.
Vion PFIB для задач материаловедения
Благодаря высокому контрасту каналировния Vion особенно хорош при работе с металлами, композитными материалами и покрытиями. Стоит перечислить основные материаловедческие задачи, с которыми Vion справляется быстро и результативно
- Подготовка поперечных сечений площадью до нескольких сотен микрон в точно указанном месте с возможностью одновременного наблюдения за образцом в реальном времени.
- Быстрое удаление материала без потери качества даже для плохо распыляемых материалов, таких как сталь
- Подготовка образцов для микромеханических испытаний с высокой точностью и воспроизводимостью.
- Подготовка поперечных срезов в заданном месте на поверхности образца для исследования методом дифракции обратно-рассеянных электронов (EBSD)
- Подготовка образцов для TEM и SEM с контролем качества благодаря разрешению < 30 нм
Vion PFIB для микроэлектроники
Vion plasma FIB способен производить быстрое и точное удаление материала образца. Вы можете с его помощью вырезать в образце окна по заранее заданному шаблону, чтобы добраться до проблемного места вашей микросхемы. Дополнительно Vion способен также проводить локальное осаждение материала (диэлектрика и проводника) в точно заданном месте по выбранному шаблону, что позволяет производить отладку микросхемы и исправлять дефекты без необходимости изменения масок и технологического процесса. К основным решаемым в микроэлектронике при помощи Vion Plasma FIB задачам относятся следующие:
- Исследование качества контактов, переходных отверстий в кремнии (TSV)
- Хирургически точное удаление корпусного материала микроэлектронного устройства для доступа к микросхеме, локализации и исследования проблемных мест
- Отладка технологических процессов, выявление слабых мест
- Анализ дефектов и отказов микромеханических (MEMS) структур
- Анализ многослойных микросхем
- Отладка микросхем с помощью модификации соединений между отдельными компонентами
| Экспертное оснащение лабораторий: оборудование, закупка и сопровождение | ||||
| Профессиональная команда по оснащению лабораторий. Индивидуальный подбор под задачу, сопровождение закупки в частном и государственном секторе по ценам производителя, комплексное обслуживание после поставки. | ||||
| Опыт в цифрах | ||||
|
| ||||
|
|
Вопросы и ответы
Получите экспертную
консультацию
Оставьте заявку, мы свяжемся с вами и проконсультируем по интересующим темам