Returning Customer
I am a returning customer
Register Account
If you already have an account with us, please login at the login form.
Ваша учетная запись создана!
Поздравляем! Ваш Личный Кабинет был успешно создан.
Теперь Вы можете воспользоваться дополнительными возможностями: просмотр истории заказов, печать счета, изменение своей контактной информации и адресов доставки и многое другое.
Если у Вас есть какие-либо вопросы, напишите нам.
Выход
Вы вышли из Личного Кабинета.
Ваша корзина покупок была сохранена. Она будет восстановлена при следующем входе в Ваш Личный Кабинет.
Анализатор температуропроводности и теплопроводности тонких пленок TFA
- Производитель: Linseis
- Модель:TFA
Термофизические свойства тонких пленок становятся все более значимыми при изучении полупроводниковых материалов, светодиодов, технологий записи оптических дисков-носителей и их памяти, основанной на изменении фазовых переходов, создании плоских экранов. В этих отраслях тонкая пленка наносится на подложку для придания прибору особой функции. Поскольку физические свойства тонких пленок отличаются от свойств материала в объеме, эти данные необходимы для точного прогнозируемого управления тепловыми процессами. Основанный на общепризнанном методе лазерной вспышки, прибор Linseis LaserFlash для тонких пленок (TFA) предлагает теперь целый диапазон новых возможностей для анализа термофизических свойств тонких пленок толщиной от 80 нм до 20 мкм.
| Высокоскоростной метод лазерной вспышки (нагревание тыльной стороны образца, фронтальное детектирование) - (RF) |
Метод термоотражения в неустановившимся режиме (Time Domain Thermoreflectance Method) - (FF) |
| Поскольку тепловые свойства тонких слоев и пленок значительно отличаются от свойств соответствующих материалов в объеме, для их исследования требуется метод, превосходящий ограничения классического метода лазерной вспышки - Высокоскоростной метод лазерной вспышки. | Геометрия измерения называется "фронтальный нагрев, фронтальное детектирование (FF)", поскольку детектор и лазер располагаются с одной стороны образца. Этот метод может применяться для тонких слоев на непрозрачных подложках, для которых метод RF не подходит. |
| Геометрия при измерении та же самая, что и при стандартном методе лазерной вспышки: детектор и лазер располагаются с противоположных сторон образца. Поскольку ИК-детекторы слишком медленны для измерения тонких слоев, детектирование выполняется посредством так называемого термоотражательного метода. Идея этого метода состоит в том, что при нагреве материала изменение отражательной способности его поверхности может использоваться для определения термических свойств. Коэффициент отражения измеряется относительно времени, и полученные данные могут быть соотнесены с моделью, содержащей коэффициенты, которые соответствуют термическим свойствам. |
|
Температурный диапазон |
Комнатная температура, |
|
Лазер накачки |
Nd:YAG-лазер, |
|
Зондирующий лазер |
HeNe лазер, 632 нм, мощность 2 мВт |
|
Скорость нагревания и охлаждения |
от 0,01 °С/мин до 10 °С/мин |
|
Диапазон температуропроводности |
от 0,01 мм2/с до 1000 мм2/с |
|
Диапазон теплопроводности |
от 0,1 Вт/м*К до 2000 Вт/м*К |
|
Диаметр образцов |
от 10 мм до 20 мм |
|
Толщина пленок |
от 80 нм до 20 мкм |
|
Параметры лазерного зонда |
HeNe - лазер (632 нм, 2 мВт) |
|
Параметры испускающего лазера |
Nd: YAG, энергия импульса регулируется до 90 мДж/импульс, длительность - 8 нс |
|
Фронтальное термоотражение |
Детектор на основе кремниевого PIN фотодиода, активный диаметр 0,8 мм, |
|
Параметры детектора для нагрева |
Квадрантный диод, активный диаметр 1,1 мм, |
|
Атмосфера |
инертная, окислительная, восстановительная, вакуум до 10-4 мбар. |