Returning Customer
I am a returning customer
Register Account
If you already have an account with us, please login at the login form.
Ваша учетная запись создана!
Поздравляем! Ваш Личный Кабинет был успешно создан.
Теперь Вы можете воспользоваться дополнительными возможностями: просмотр истории заказов, печать счета, изменение своей контактной информации и адресов доставки и многое другое.
Если у Вас есть какие-либо вопросы, напишите нам.
Выход
Вы вышли из Личного Кабинета.
Ваша корзина покупок была сохранена. Она будет восстановлена при следующем входе в Ваш Личный Кабинет.
-600x600.jpg "Электронный микроскоп Vion Plasma FIB")
Фокусированный ионный пучок с источником на основе зарядово-связанной палзмы Xe(+). Удаление материала до 20 раз быстрее по сравнению с традиционным Ga FIB.
FEI Vion™ Plasma Focused Ion Beam System (PFIB) - фокусированный ионный пучок с источником на основе зарядовосвязанной плазмы Xe(+), обеспечивающей быстродействие при удалении материала, более чем в 20 раз превышающее традиционный Ga фокусированный ионный пучок. Этот производительный инструмент способен создавать прецизионные поперечные срезы в точно выбранном месте на поверхности образца, выполнять пробоподготовку образцов для TEM и SEM. Используя низкий ток ионного пучка Vion позволяет получать изображения поверхности образца с высоким разрешением и с высоким контрастом.
Vion PFIB для задач материаловедения
Благодаря высокому контрасту каналировния Vion особенно хорош при работе с металлами, композитными материалами и покрытиями. Стоит перечислить основные материаловедческие задачи, с которыми Vion справляется быстро и результативно
- Подготовка поперечных сечений площадью до нескольких сотен микрон в точно указанном месте с возможностью одновременного наблюдения за образцом в реальном времени.
- Быстрое удаление материала без потери качества даже для плохо распыляемых материалов, таких как сталь
- Подготовка образцов для микромеханических испытаний с высокой точностью и воспроизводимостью.
- Подготовка поперечных срезов в заданном месте на поверхности образца для исследования методом дифракции обратно-рассеянных электронов (EBSD)
- Подготовка образцов для TEM и SEM с контролем качества благодаря разрешению < 30 нм
Vion PFIB для микроэлектроники
Vion plasma FIB способен производить быстрое и точное удаление материала образца. Вы можете с его помощью вырезать в образце окна по заранее заданному шаблону, чтобы добраться до проблемного места вашей микросхемы. Дополнительно Vion способен также проводить локальное осаждение материала (диэлектрика и проводника) в точно заданном месте по выбранному шаблону, что позволяет производить отладку микросхемы и исправлять дефекты без необходимости изменения масок и технологического процесса. К основным решаемым в микроэлектронике при помощи Vion Plasma FIB задачам относятся следующие:
- Исследование качества контактов, переходных отверстий в кремнии (TSV)
- Хирургически точное удаление корпусного материала микроэлектронного устройства для доступа к микросхеме, локализации и исследования проблемных мест
- Отладка технологических процессов, выявление слабых мест
- Анализ дефектов и отказов микромеханических (MEMS) структур
- Анализ многослойных микросхем
- Отладка микросхем с помощью модификации соединений между отдельными компонентами